财联社5月20日讯（实习编辑 周子意）据美国和韩国近日公布的拜登别行程，美国总统拜登将于周五抵达韩国首尔，亚洲从而展开其首次亚洲访问。行首在为时三天的站访访韩行程内，他将与韩国新任总统尹锡悦等多方举行会谈，问星并参观当地一些设施。工厂

据媒体报道，家工拜登在当地时间5月20日下午抵达韩国乌山空军基地后，何特将直接前往位于首尔以南70公里的拜登别平泽市三星半导体工业园区。

韩国总统府也证实了这次访问，亚洲不过韩方仍将其定义为“暂定时间表”。行首

据媒体分析，站访供应链问题成为拜登的问星访韩议程中的重要内容之一。由于全球国际贸易正面临供应链中断的工厂压力，而美韩将寻求在特定领域的家工经济合作，特别是受供应链中断影响的先进技术领域。拜登的目标是希望加强芯片、电池等产品的新生产和供应链韧性。

5月21日下午，拜登将前往龙山总统府与尹锡悦举行会谈。会谈分为小型会谈、扩大会谈等环节，持续约90分钟。会后，两国领导人将共同会见记者，发表韩美联合宣言。22日下午，拜登将启程离开韩国，赴日本访问。

尖端的半导体制造技术

成为拜登韩国访问首站的三星平泽工厂，是世界上最大的半导体工厂群。整个平泽园区面积298万平方米，相当于400个足球场大小。其中平泽2号半导体工厂总建筑面积12.89万平方米，相当于16个足球场大小。

而三星正在建设的平泽3号工厂，占地70万平方米，是2号工厂的 1.7 倍，建成后将成为全球单体最大的晶圆厂，单单这间工厂的投资额在240-400亿美元。

据韩联社报道，在访问三星平泽工厂期间，三星副会长李在镕亲自率队陪同。三星电子将会向拜登展示其尖端的半导体制造技术——商用环绕式栅极（Gate-All-Around，GAA）技术。

此技术号称可在5纳米节点提供超越现有FinFET工艺的晶体管密度，而FinFET是台积电在3纳米工艺上采用的技术。三星公司此前预计，基于GAA技术下设计的新一代3纳米半导体将在未来几个月后大规模量产。

此外，以GAA技术为基础，三星还将开发出第二代GAA技术，即3GAP（Gate-All-Around Plus），预计于2023年开始量产。

代工能力之争

据三星电子的一位相关人员表示，“三星向拜登展示3nm芯片的举动，意在强调其代工能力可以超过台积电（TSMC）”。

台积电是中国台湾地区的一家全球知名半导体芯片制造商，业内称之全球芯片“代工之王”。作为全球第二大芯片代工厂的三星与台积电一直处于激烈竞争中，双方都希望能通过率先将3纳米芯片推向大众市场，从而战胜对手。

据三星此前介绍，与现阶段市场上使用的5纳米芯片制程相比，GAA技术允许芯片的尺寸缩小35%，同时性能提高30%、能耗降低50%。

三星还补充道，其2纳米的制程节点尚处于开发的早期阶段，计划将于2025年大规模生产。

行业跟踪机构TrendForce的数据显示，去年第四季度，台积电占据了全球代工市场的52.1%，三星以18.3%紧随其后。